MDmesh™ M9 系列 600 V 至 650 V MOSFET

STMicroelectronics 的 MOSFET 可提高功率等級和功率密度,以實現更小巧的解決方案

STMicroelectronics MDmesh™ M9 系列 600 V 至 650 V MOSFET 的圖片STMicroelectronics 的矽質 M9 技術受益於多汲極製程,可增強元件結構。結果就是這款產品在所有矽質快速切換、超接面功率 MOSFET 中具有較低的導通電阻和較低的閘極電荷值,使其特別適合需要卓越功率密度和出色效率的應用。

特點
  • 目前市場上最佳的效能指數 (RDS(ON) x Qg)
  • 目前業界看到 650 V 電壓範圍中最好的 RDS(ON)
  • 最低的 Qg
  • 更高的反向二極體 dv/dt 和 MOSFET dv/dt 耐用性
優點
  • 更高的功率等級
  • 更高的功率密度和更低的導通損耗
  • 高效率和低的切換功率損耗
  • 高速切換
  • 為更小巧的設計提高穩健性和可靠度

MDmesh™ M9 Family 600 V to 650 V MOSFETs

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更新日期: 2026-01-20
發佈日期: 2023-03-09