設定
快速送達
免運費
國貿條規
付款類型
商城產品
STGWA50HP65FB2 溝槽式閘極場截止 HB2 系列 IGBT
STMicroelectronics 的 IGBT 650 V HB2 系列代表先進的自行研發溝槽式閘極場截止結構的演變
STMicroelectronics 的 IGBT 650 V HB2 系列代表先進的自行研發溝槽式閘極場截止結構的演變。由於更佳的低電流值 VCE(sat) 行為，HB2 系列的效能在傳導方面得到最佳化，並降低切換能量。僅提供保護用途的二極體與 IGBT 反平行共同封裝。成果就是專為達到最高效率而設計、適用於各種快速應用的產品。
特點
- 最高結溫：TJ 為 +175°C
- IC 為 20 A 時，低 VCE(sat) 為 1.65 V (典型值)
- 共同封裝的保護二極體
- 最小化尾電流值
- 緊密的參數分布
- 低熱阻
- 正 VCE(sat) 溫度係數
STGWA50HP65FB2 Trench Gate Field Stop HB2 Series IGBTs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 電流 - 集極脈衝 (Icm) | Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA20HP65FB2 | IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247 | 60 A | 2.1V @ 15V、20A | 570 - 即時供貨 | $120.00 | 查看詳情 |
| | STGWA50HP65FB2 | IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247 | 150 A | 2V @ 15V、50A | 395 - 即時供貨 | $138.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2020-07-20
