適用於新一代電源設計的 1200 V SiC 肖特基二極體

Taiwan Semiconductor 1200 V SiC 肖特基二極體系列可協助工程師建構更有效率、更可靠的電力系統

Taiwan Semiconductor 適用於新一代電源設計的 1200 V SiC 肖特基二極體的圖片Taiwan Semiconductor (TSC) 1200 V 寬能隙 SiC 肖特基二極體系列為現代電源轉換系統提供更高的效率與可靠性。這些 SiC 二極體利用先進的合併式 PIN 肖特基 (MPS) 技術,提供超低逆向漏電流、快速切換、卓越的突波處理能力,非常適合電動車快速充電基礎設施、工業電信電源、儲能系統。

1 A、2 A 版本是專為設計靈活性和空間敏感佈局而設計,採用緊湊的 SOD-128、SMB 封裝,具有改善的沿面距離,可增強電氣隔離。對於更高電流的應用,該產品組合包含額定電流高達 40 A 的 TO-247-3L 元件,支援可擴展的電源設計需求。所有元件均符合 AEC-Q101 標準,額定接面溫度 (TJ) 高達 +175°C,確保長期熱穩定性及電氣穩定性。

這些 SiC 肖特基整流器具有正溫度係數、寬能隙半導體材料的固有優勢,可簡化熱管理,並實現更緊湊、更節能的系統設計。TSC SiC 二極體系列滿足新一代應用對可靠、高效能電力電子元件日益增長的需求。

特點
  • 符合 AEC-Q101 標準
  • SOD-128 最小沿面距離設計保證 3.2 mm
  • SMB 最小沿面距離設計保證 2.6 mm
  • 最大 TJ +175°C
  • MPS 設計
  • VF 具正溫度係數
  • 符合 RoHS 指令
  • 無鹵素
應用
  • PFC 高頻整流
  • 電動車快速充電站
  • 自舉二極體和去飽和二極體
  • 電網儲能系統 (ESS)
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 太陽能逆變器系統 PV 微型逆變器
  • 電信整流器

1200 V SiC Schottky Diodes

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發佈日期: 2025-08-19