Taiwan Semiconductor

第四代 600 V 超接面 MOSFET

Taiwan Semiconductor 的 NE 系列 MOSFET 讓使用者能夠建構更小、更快、更有效率的系統

Taiwan Semiconductor 的第四代 MOSFET 的圖片Taiwan Semiconductor 的第四代 600 V NE 系列超接面 MOSFET 是設計用來提高高電壓應用中的效率和功率密度。NE 超接面 MOSFET 最新的技術可實現極低的導通電阻 (RON) 和低的閘極電荷 (Qg) 電容量。實現 30% 效能指數 (FOM)，RON Qg，與替代方案相比，這些改進能在許多高電壓應用中帶來更高的價值。這些超接面 MOSFET 讓使用者能夠建構更小、更快、更有效率的系統。

特點
  • 第四代超接面技術
  • Qg 電容量
  • 卓越的切換效能
  • 高的閘極雜訊耐受性
應用
  • 離線型切換式電源轉換
  • 伺服器電源供應器
  • 高電壓馬達驅動
  • UPS 系統
  • 照明控制

4th Generation 600 V Super Junction MOSFETs

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發佈日期： 2024-08-06