Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

第五代深溝槽製程超級接面 MOSFET

Toshiba 的 600 V 和 650 V DTMOS V 製程促成小型 MOSFET，能在電源切換應用中簡化導入設計作業並降低 EMI 雜訊

Toshiba 的第五代深溝槽製程超級接面 MOSFET 圖片 Toshiba 推出新一代超級接面 (SJ) 深溝槽半導體技術，可達到高效率的功率 MOSFET。採用新款 DTMOS V 製程架構的元件，比起前一代 DTMOS IV MOSFET，能達到更低 EMI 雜訊並降低導通電阻 (RDS(ON))。

如同前一代 DTMOS IV 半導體技術，DTMOS V 以單晶膜製程為基礎，其中含有「深溝槽蝕刻」，然後進行 P 型晶膜生長。比起較傳統的平面製程，深溝槽填補製程能讓單元間距縮小，並降低 RDS(ON)。比起採用多晶膜生長製程的傳統超級接面MOSFET，Toshiba 的深溝槽製程能讓 RDS(ON) 的熱係數有所改善。

相較於 TK12P60W DTMOS IV MOSFET 最低的 RDS(ON)，透過 DTMOS V，Toshiba 能將 DPAK TK290P60Y 的 RDS(ON) 降低多達 17%。本公司也進一步在切換效能與 EMI 雜訊之間達到最佳權衡。

DTMOS V MOSFET 可針對轉換應用簡化設計並提升效能，包括切換式電源供應器、功率因數校正 (PFC) 設計、LED 照明，以及其他 AC/DC 應用。首款採用第五代製程的 MOSFET 提供 600 V 和 650 V 額定值，並提供 DPAK (TO-252) 和 TO-220SIS (智慧隔離) 封裝。最大導通電阻額定值介於 0.29 Ω 至 0.56 Ω。

特點
  • 相較於前一代 DTMOS IV，RDS(ON) (汲極至源極導通電阻) 降低多達 17%
  • 導通電阻介於 0.29 Ω 至 0.56 Ω
  • 多種封裝選項：可裝入兩種封裝內 (DPAK、TO-220SIS)
應用
  • 伺服器
  • 基地台或其他應用的切換式電源供應器
  • 光電逆變器

MOSFETs

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發佈日期： 2017-07-19