第四代 750 V SiC FET 有助於實現新一代電源設計

onsemi 的第四代 750 V SiC FET 具有業界最佳的「效能指數」,適合軟切換和硬切換式電源應用

Image of Qorvo's Gen 4 750 V SiC FETs Delivers Next-Generation Power Designs採用獨特的疊接式配置,onsemi 的 UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列額定電壓為 750 V,並提供 6 mΩ 至 60 mΩ 選項。這些元件具有優異的效能指數,可以降低導通損耗並在更高的速度下提高效率,同時提升整體成本效益。切換效能和 Qrr 獲得改善,在每一個 RDS(on) 情況下的 Eon 和 Eoff 損耗也是一樣。此外,降低了 Eoss 和 Coss 的程度以達成低的整體損耗。這些元件可以用標準的 0 V 至 12 V 或 15 V 閘極驅動電壓安全地驅動。真正的 5 V 閾值電壓保持良好的閾值雜訊容限,並且與前幾代產品一樣,這些 SiC FET 可以在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驅動電壓下工作。它們還包括一個內建的 ESD 閘極保護箝位電路。多數元件皆符合 AEC-Q101 標準。

特點
  • 6 mΩ 至 60 mΩ 的低 RDS(on)
  • 關鍵效能指數可實現新一代高效能電源設計
    • 優異的 RDS(on) x 面積
    • 相同的 RDS(on) 下 Qrr 和 Eon/Eoff 損耗獲得改善
    • 降低 Coss(er)/Eoss 和 Coss(tr)
  • 6 mΩ 時 5 µs 短路耐受時間
  • 5 V VTH、±20 V VGS(max)、ESD 保護
 
  • 標準 (0 V 至 12 V) 或 SiC FET 閘極驅動 (雙極)
  • 出色的逆向恢復
  • 低本體二極體
  • 低閘極電荷
  • TO247-3L、TO247-4L、D2PAK-7L 業界標準封裝
  • 多數元件皆符合 AEC-Q101 標準
應用
  • 汽車:牽引逆變器;車載充電器;DC/DC 轉換器
  • IT 基礎設施:PFC;DC/DC 轉換器
 
  • 再生能源:太陽能逆變器;能源儲備

Gen 4 750 V SiC FETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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更新日期: 2025-03-06
發佈日期: 2021-02-02