VOW3120 寬主體 2.5 A IGBT 和 MOSFET 驅動器

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            VOW3120 寬主體 2.5 A IGBT 和 MOSFET 驅動器
  
                    Vishay 的 VOW3120 光耦合器非常適合驅動馬達控制與逆變器應用的功率 IGBT 和 MOSFET

Vishay Semiconductor/Opto Division 的 VOW3120 寬主體 2.5 A IGBT 和 MOSFET 驅動器圖片 Vishay 的 VOW3120 含有紅外線發光二極體，以光學方式耦合到具有功率輸出級的積體電路。此光耦合器非常適合驅動用於馬達控制與變頻器應用的功率 IGBT 和 MOSFET。輸出級具有高工作電壓範圍，能提供閘極控制裝置所需的驅動電壓。此光耦合器提供的電壓和電流非常適合直接驅動額定值高達 1200 V/100 A 的 IBGT。若是更高額定值的 IGBT，VOW3120 則可用來驅動離散功率級，以此驅動 IGBT 閘極。 VOW3120 能針對較高工作電壓和／或污染等級條件較高的環境中提供更高的隔離能力。 VOW3120 具有更高的 V_IORM、V_IOTM、沿面與間隔距離，因此非常適合多種工業控制與電源轉換應用。