第五代 TrenchFET MOSFET
Vishay 的 80 V、100 V、150 V MOSFET 具有極低的 RDS x Qg FOM
Vishay 的 TrenchFET® 第五代功率 MOSFET 可為隔離式、非隔離式拓撲提供更高的功率密度和效率。超低導通電阻、高達 +175°C 的高溫工作、Vishay 節省空間的 PowerPAK® 封裝都有助於透過無焊線結構提高板級可靠性。此系列經過 100% RG 和 UIS 測試,符合 RoHS 指令且不含鹵素。
- 極低 RDS x Qg FOM
- 經調校,具有最低的 RDS x QOSS FOM
- 同步整流
- 一次側開關
- DC/DC 轉換器
- 太陽能微型逆變器
- 馬達驅動開關
- 電池與負載開關
- 工業馬達驅動
- 電池充電器
Gen V TrenchFET MOSFETs
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 汲極至源極電壓 (Vdss) | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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![]() | ![]() | SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 9870 - 即時供貨 | $88.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 6156 - 即時供貨 | $85.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 4580 - 即時供貨 | $116.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 5980 - 即時供貨 | $113.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 4563 - 即時供貨 | $85.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 6483 - 即時供貨 | $118.00 | 查看詳情 |