Vishay / Siliconix

SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay 推出具有業界低導通電阻的 MOSFET，能提升功率密度與效率

Vishay Siliconix 的 SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET 圖片 Vishay Siliconix 的 SiA468DJ 能以 2 mm x 2 mm 塑膠封裝，為 30 V 裝置提供業界最低的導通電阻和最高的連續汲極電流。此元件採用 PowerPAK® SC-70 封裝，比採用 PowerPAK 1212 的元件尺寸小 60%。

SiA468DJ 比起前一代解決方案降低 51% 的導通電阻，且比最相近的競品提供 7% 的效能提升。此元件具有連續汲極電流，比前代元件高 68%，且比最相近的競品解決方案高出 50%。

特點

  • 超低導通電阻以及閘極電荷效能指數 (FOM) 皆經過最佳化，適合多種電源轉換拓撲
  • 同級最佳的導通電阻，能降低導通損耗並提升效率
  • 高連續汲極電流，能針對遭遇較高暫態電流的應用提供充分的安全餘裕
  • 採用超小型 PowerPAK SC-70 封裝
  • 符合 RoHS 指令、100% 通過 RG 測試，且無鹵素
應用
  • 適合電池管理的 DC/DC 轉換和背對背負載切換
  • 筆記型電腦
  • 平板裝置
  • VR 頭戴式裝置
  • DC/DC 磚
  • 無線充電器的全橋
  • 無人機的馬達驅動控制

SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET Power MOSFET

圖片製造商零件編號說明汲極至源極電壓 (Vdss)電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)現有數量價格查看詳情
MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70SIA468DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC7030 V37.8 A (Tc)4.5V、10V3720 - 即時供貨$24.00查看詳情
發佈日期： 2017-04-03

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