SiHH26N60E、SiHH21N60E、 SiHH14N60E、SiHH11N60E MOSFET

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            SiHH26N60E、SiHH21N60E、 SiHH14N60E、SiHH11N60E MOSFET
  
                    Vishay 的 600 V E 系列 MOSFET 採用 PowerPAK® 8 mm x 8 mm 封裝，具有開爾文連接，可降低閘極驅動電感值

Vishay/Siliconix 的 SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E、SiHH11N60E MOSFET 影像 Vishay 的 600 V E 系列 MOSFET 的結構採用 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封裝，能讓其中一個來源引腳設定為專用開爾文來源連接，將閘極驅動折返路徑與主要載流來源端子分開。這可降低施加於 E 系列 MOSFET 的閘極驅動電壓，預防高電流路徑的 L x di/dt 壓降。因此能在電信、伺服器、運算、照明、工業應用的電源供應器設計中更快速進行切換並提升雜訊耐受性。

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特點
提供節省空間的表面黏著 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封裝都具有大型汲極端子，適用於低熱阻和開爾文來源連接，透過提升閘極驅動訊號提升效率符合 RoHS、無鹵素，且 100% 無鉛 (Pb) 節省空間，能替代傳統的 TO-220 和 TO-263 解決方案，與 TO-263 (D²PAK) 具有類似的熱效能		低導通電阻和閘極電荷能降低導通和切換損耗，節省能源可在突崩和換相模式中耐受高能量脈衝，可在 100% UIS 測試中達到保證限制
應用
功率因數校正返馳式轉換器雙開關順向轉換器，適用於伺服器和電信電源供應器 HID 與螢光安定器照明消費性和運算電源配接器		馬達驅動太陽能 PV 逆變器感應加熱熔接設備

SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, SiHH11N60E MOSFETs

製造商零件編號	說明	現有數量	價格
SIHH26N60E-T1-GE3	MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8	5512 - 即時供貨	$244.00	查看詳情
SIHH21N60E-T1-GE3	MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8	3000 - 即時供貨	$202.00	查看詳情
SIHH14N60E-T1-GE3	MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8	5730 - 即時供貨	$178.00	查看詳情

發佈日期： 2015-09-29

特點
提供節省空間的表面黏著 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封裝都具有大型汲極端子，適用於低熱阻和開爾文來源連接，透過提升閘極驅動訊號提升效率符合 RoHS、無鹵素，且 100% 無鉛 (Pb) 節省空間，能替代傳統的 TO-220 和 TO-263 解決方案，與 TO-263 (D²PAK) 具有類似的熱效能		低導通電阻和閘極電荷能降低導通和切換損耗，節省能源可在突崩和換相模式中耐受高能量脈衝，可在 100% UIS 測試中達到保證限制
應用
功率因數校正返馳式轉換器雙開關順向轉換器，適用於伺服器和電信電源供應器 HID 與螢光安定器照明消費性和運算電源配接器		馬達驅動太陽能 PV 逆變器感應加熱熔接設備

SiHH26N60E、SiHH21N60E、 SiHH14N60E、SiHH11N60E MOSFET

Vishay 的 600 V E 系列 MOSFET 採用 PowerPAK® 8 mm x 8 mm 封裝，具有開爾文連接，可降低閘極驅動電感值

SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, SiHH11N60E MOSFETs

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