750 V 碳化矽 MOSFET — TO-247-4 薄型封裝

Wolfspeed 的 MOSFET 提供更大的設計彈性、更高的可靠性、更低的 FIT 率

Wolfspeed 的 750 V 碳化矽 MOSFET 的圖片Wolfspeed 的 TO-247-4 LP 750 V 封裝可在更廣泛的電源系統中實現更小、更輕且高效的電源轉換。更纖薄的封裝有助於空間受限的電路板設計,提高系統級功率密度,並透過更佳的封裝電感值來降低切換損耗。隨著系統匯流排電壓的增加,Wolfspeed 的 750 V 系列 MOSFET 為客戶應用提供更大的設計餘裕,以及更高的峰值暫態電壓耐受性。所有元件均與業界相容。

特點
  • 與 K 元件相比,封裝高度降低 (2.5 mm)
  • 溫度範圍內的導通電阻低
  • 低寄生電容量
  • 具有超低逆向恢復的快速本體二極體 (QRR)
  • 高溫運作:TJ 為 +175°C
  • 業界標準封裝與引線長度
  • 開爾文源極引腳
  • 低引線電感值
  • 低熱阻
應用
  • 工業電源供應器
  • 馬達和動作控制系統
  • 伺服器和電信電源供應器
  • 電動車充電系統
  • 太陽能/光電和儲能系統
  • 測試與量測系統

750 V Silicon Carbide MOSFETs

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發佈日期: 2024-05-30