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DMN61D8LVTQ-13可購買，但非長期存貨。
可用替代品:
參數同等
參數同等
參數同等
圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
DMN61D8LVTQ-13 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | DMN61D8LVTQ-13DI-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) |
製造商 | |
製造商零件編號 | DMN61D8LVTQ-13 |
說明 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
製造商的標準前置時間 | 40 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | MOSFET - 陣列 60V 630mA 820mW 表面黏著式 TSOT-26 |
規格書 | 規格書 |
產品屬性
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | MOSFET (金氧) | |
配置 | 2 N-通道 (雙) | |
FET 特點 | 邏輯電平閘極 | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 60V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 630mA | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 1.8Ohm @ 150mA、5V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 2V @ 1mA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 0.74nC @ 5V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 12.9pF @ 12V | |
功率 - 最大值 | 820mW | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
封裝／外殼 | SOT-23-6 細型、TSOT-23-6 | |
供應商元件封裝 | TSOT-26 | |
基礎產品編號 |
可訂購
查看前置時間
數量
皆以 TWD 計價
編帶和捲軸封裝 (TR)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 10,000 | NT$4.41800 | NT$44,180 |
| 20,000 | NT$4.08615 | NT$81,723 |
| 30,000 | NT$3.91710 | NT$117,513 |
| 50,000 | NT$3.72720 | NT$186,360 |
| 70,000 | NT$3.61479 | NT$253,035 |
