DMN61D9U-13 Diodes Incorporated | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
製造商 Diodes Incorporated	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.4 nC @ 4.5 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態停產	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 28.5 pF @ 30 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 370mW (Ta)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 380mA (Ta)	供應商元件封裝 SOT-23-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.8V、5V	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2Ohm @ 50mA、5V	基礎產品編號 DMN61

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DMN61D9U-13