Name: DMT10H009LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LFG-7TR-ND
Price: 17.675 TWD
Availability: OutOfStock

DMT10H009LFG-7
DigiKey 零件編號	31-DMT10H009LFG-7TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Diodes Incorporated
製造商零件編號	DMT10H009LFG-7
說明	MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
製造商的標準前置時間	40 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 13 A (Ta)、50 A (Tc) 2W (Ta)、30W (Tc) 表面黏著式 POWERDI3333-8
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Diodes Incorporated
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	13 A (Ta)、50 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	8.5mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2361 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2W (Ta)、30W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	POWERDI3333-8
封裝／外殼	8-PowerVDFN
基礎產品編號	DMT10

DMT10H009LFG-7