Name: DMTH10H010SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND
Price: 66 TWD
Availability: InStock

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DMTH10H010SPSQ-13
cms-digikey-product-number	31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 31-DMTH10H010SPSQ-13CT-ND - 切帶裝 (CT) 31-DMTH10H010SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Diodes Incorporated
cms-manufacturer-product-number	DMTH10H010SPSQ-13
cms-description	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
cms-standard-lead-time	12 週
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N 通道 100 V 11.8 A (Ta)、100 A (Tc) 1.5W (Ta)、166W (Tc) 表面黏著式 PowerDI5060-8
規格書	規格書

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Diodes Incorporated
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	11.8 A (Ta)、100 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	8.8mOhm @ 13A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	56.4 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	4468 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.5W (Ta)、166W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PowerDI5060-8
封裝／外殼	8-PowerTDFN
基礎產品編號	DMTH10