類型 | 說明 | 全選 |
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類別 | ||
製造商 | EPC | |
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) | |
零件狀態 | 停產 | |
技術 | GaNFET (氮化鎵) | |
配置 | 3 N 通道 (半橋 + 同步靴帶式) | |
FET 特點 | - | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 60V、100V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 1.7A、500mA | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 2.5A、5V、3.3Ohm @ 2.5A、5V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 0.22nC @ 5V、0.044nC @ 5V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 22pF @ 30V、7pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
封裝/外殼 | 9-VFBGA | |
供應商元件封裝 | 9-BGA (1.35x1.35) | |
基礎產品編號 |
數量 | 單價 | 總價 |
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1 | NT$83.00000 | NT$83 |
10 | NT$53.30000 | NT$533 |
100 | NT$36.52000 | NT$3,652 |
500 | NT$29.32800 | NT$14,664 |
數量 | 單價 | 總價 |
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2,500 | NT$23.84320 | NT$59,608 |