類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 125 nC @ 10 V
製造商 Infineon Technologies	Vgs (最大值) ±20V
系列 HEXFET®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4520 pF @ 50 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	功率耗散 (最大值) 230W (Tc)
零件狀態停產	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 120 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TO263-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 4.2mOhm @ 75A、10V	基礎產品編號 AUIRFS3306
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 150µA

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
FDB045AN08A0	onsemi	294	FDB045AN08A0CT-ND	NT$182.00000	相似
FDB050AN06A0	onsemi	1,431	FDB050AN06A0CT-ND	NT$128.00000	相似
IXTA170N075T2	IXYS	0	IXTA170N075T2-ND	NT$84.12000	相似
NP82N055PUG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	0	NP82N055PUG-E1-AYTR-ND	NT$49.95625	相似
STB130N6F7	STMicroelectronics	366	497-15895-1-ND	NT$98.00000	相似

AUIRFS3306TRL