AUIRLR3636TRL Infineon Technologies | 單一 FET、MOSFET

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Infineon Technologies

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onsemi

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V
製造商 Infineon Technologies	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3779 pF @ 50 V
系列 HEXFET®	功率耗散 (最大值) 143W (Tc)
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
零件狀態停產	等級汽車
FET 類型 N 通道	資格 AEC-Q101
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	供應商元件封裝 TO-252AA (DPAK)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 50 A (Tc)	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 6.8mOhm @ 50A、10V	基礎產品編號 AUIRLR3636
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 100µA

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零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
IPD90N06S4L06ATMA2	Infineon Technologies	689	448-IPD90N06S4L06ATMA2CT-ND	NT$72.00000	相似
NTD5862NT4G	onsemi	529	NTD5862NT4GOSCT-ND	NT$89.00000	相似

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AUIRLR3636TRL