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BCR158E6327HTSA1可購買，但非長期存貨。
可用替代品:
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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
BCR158E6327HTSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | BCR158E6327HTSA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BCR158E6327HTSA1CT-ND - 切帶裝 (CT) |
製造商 | |
製造商零件編號 | BCR158E6327HTSA1 |
說明 | TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | 電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面黏著式 PG-SOT23 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | BCR158E6327HTSA1 型號 |
產品屬性
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顯示空屬性
類別 | DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 70 @ 5mA、5V |
製造商 Infineon Technologies | Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA、10mA |
包裝 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) | 電流 - 集極截止 (最大值) 100 nA (ICBO) |
零件狀態 限期訂購 | 頻率 - 轉換 200 MHz |
電晶體類型 PNP - 預偏壓 | 功率 - 最大值 200 mW |
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100 mA | 安裝類型 表面黏著式 |
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50 V | 封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
含電阻 R1 和 R2 | 供應商元件封裝 PG-SOT23 |
電阻 - 基座 (R1) 2.2 kOhms | 基礎產品編號 |
電阻 - 發射器基座 (R2) 47 kOhms |
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替代品 (11)
| 零件編號 | 製造商 | 現有數量 | DigiKey 零件編號 | 單價 | 替代類型 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMUN2135LT1G | onsemi | 5,717 | MMUN2135LT1GOSCT-ND | NT$5.00000 | 直接 |
| MUN2135T1G | onsemi | 321,000 | MUN2135T1G-ND | NT$0.94653 | 直接 |
| PDTA123JTVL | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-8520-1-ND | NT$4.00000 | 直接 |
| DDTA123TCA-7-F | Diodes Incorporated | 5,656 | DDTA123TCA-FDICT-ND | NT$7.00000 | 相似 |
| DTA123JKAT146 | Rohm Semiconductor | 5,536 | DTA123JKAT146CT-ND | NT$8.00000 | 相似 |
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最後可購買日：2026/12/31
數量
皆以 TWD 計價
切帶裝 (CT)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$11.00000 | NT$11 |
編帶和捲軸封裝 (TR)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 36,000 | NT$1.66353 | NT$59,887 |
