Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 61 TWD
Availability: InStock

BSP149H6327XTSA1
DigiKey 零件編號	BSP149H6327XTSA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSP149H6327XTSA1
說明	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
製造商的標準前置時間	35 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道、空乏模式 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) 表面黏著式 PG-SOT223-4
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSP149H6327XTSA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	SIPMOS®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道、空乏模式
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	200 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	660mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	0V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.8Ohm @ 660mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1V @ 400µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	430 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.8W (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-SOT223-4
封裝／外殼	TO-261-4、TO-261AA
基礎產品編號	BSP149

BSP149H6327XTSA1