BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | 單一 FET、MOSFET

BSS169IXTSA1
DigiKey 零件編號	448-BSS169IXTSA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSS169IXTSA1
說明	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道、空乏模式 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) 表面黏著式 PG-SOT-23-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSS169IXTSA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道、空乏模式
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	190mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	0V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1.8V @ 50µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	51 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	360mW (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-SOT-23-3
封裝／外殼	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

BSS169IXTSA1