Name: BSZ019N03LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ019N03LSATMA1TR-ND
Price: 71 TWD
Availability: OutOfStock

BSZ019N03LSATMA1
DigiKey 零件編號	BSZ019N03LSATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSZ019N03LSATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSZ019N03LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSZ019N03LSATMA1
說明	MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 22 A (Ta). 40 A (Tc) 2.1W (Ta)、69W (Tc) 表面黏著式 PG-TSDSON-8-FL
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSZ019N03LSATMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	22 A (Ta). 40 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.9mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2800 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.1W (Ta)、69W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TSDSON-8-FL
封裝／外殼	8-PowerTDFN
基礎產品編號	BSZ019

BSZ019N03LSATMA1