Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 57 TWD
Availability: OutOfStock

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BSZ086P03NS3EGATMA1
DigiKey 零件編號	BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSZ086P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSZ086P03NS3EGATMA1
說明	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 13.5 A (Ta)、40 A (Tc) 2.1W (Ta)、69W (Tc) 表面黏著式 PG-TSDSON-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSZ086P03NS3EGATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.1V @ 105µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 57.5 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs (最大值) ±25V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4785 pF @ 15 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 2.1W (Ta)、69W (Tc)
FET 類型 P 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	供應商元件封裝 PG-TSDSON-8
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 13.5 A (Ta)、40 A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerTDFN
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V	基礎產品編號 BSZ086
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 8.6mOhm @ 20A、10V