Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 66 TWD
Availability: InStock

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BSZ0901NSIATMA1
DigiKey 零件編號	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) BSZ0901NSIATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSZ0901NSIATMA1
說明	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 25 A (Ta)、40 A (Tc) 2.1W (Ta)、69W (Tc) 表面黏著式 PG-TSDSON-8-FL
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSZ0901NSIATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.2V @ 250µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 41 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2600 pF @ 15 V
零件狀態限期訂購	FET 特點肖特基二極體 (本體)
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 2.1W (Ta)、69W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 25 A (Ta)、40 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TSDSON-8-FL
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 8-PowerTDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.1mOhm @ 20A、10V	基礎產品編號 BSZ0901

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替代品 (4)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
BSZ0501NSIATMA1	Infineon Technologies	1,691	448-BSZ0501NSIATMA1CT-ND	NT$73.00000	建議的 MFR
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