Name: BSZ180P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 41 TWD
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3GATMA1
DigiKey 零件編號	448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-BSZ180P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	BSZ180P03NS3GATMA1
說明	MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 9 A (Ta)、39.6 A (Tc) 2.1W (Ta)、40W (Tc) 表面黏著式 PG-TSDSON-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	BSZ180P03NS3GATMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	9 A (Ta)、39.6 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	18mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.1V @ 48µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±25V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2220 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.1W (Ta)、40W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TSDSON-8
封裝／外殼	8-PowerTDFN
基礎產品編號	BSZ180

BSZ180P03NS3GATMA1