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MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 190A 20mW 通孔式 PG-MDIP-11-1
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FF06MR12A04MA2AKSA1

DigiKey 零件編號
448-FF06MR12A04MA2AKSA1-ND
製造商
製造商零件編號
FF06MR12A04MA2AKSA1
說明
HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC
製造商的標準前置時間
53 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 190A 20mW 通孔式 PG-MDIP-11-1
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
FF06MR12A04MA2AKSA1 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Infineon Technologies
系列
包裝
管裝
零件狀態
有源
技術
碳化矽 (SiC)
配置
兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點
-
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
190A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
5.56mOhm @ 190A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.55V @ 60mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
420nC @ 18V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10100pF @ 850V
功率 - 最大值
20mW
工作溫度
-40°C ~ 175°C (TJ)
等級
汽車
資格
AEC-Q101
安裝類型
通孔式
封裝/外殼
11-PowerDIP 模組 (2.091"、53.10mm)
供應商元件封裝
PG-MDIP-11-1
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