Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 125 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IGB070S10S1XTMA1
DigiKey 零件編號	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IGB070S10S1XTMA1
說明	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
製造商的標準前置時間	27 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 13 A (Ta)、38 A (Tc) 2.6W (Ta)、23W (Tc) 表面黏著式 PG-TSON-4-2
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IGB070S10S1XTMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolGaN™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	13 A (Ta)、38 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	7mOhm @ 13A、5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.9V @ 4.5mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	7.9 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±6.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	740 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.6W (Ta)、23W (Tc)
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TSON-4-2
封裝／外殼	4-PowerTDFN