Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 120 TWD
Availability: InStock

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IGLR65R200D2XUMA1
DigiKey 零件編號	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IGLR65R200D2XUMA1
說明	GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
製造商的標準前置時間	27 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 9.2 A (Tc) 34W (Tc) 表面黏著式 PG-TSON-8-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IGLR65R200D2XUMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 1.6V @ 710µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.26 nC @ 3 V
系列 CoolGaN™ G5	Vgs (最大值) -10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 91 pF @ 400 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 34W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 GaNFET (氮化鎵)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	供應商元件封裝 PG-TSON-8-8
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9.2 A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerTDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 240mOhm @ 2.1A