Name: IMBG120R034M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND
Price: 482 TWD
Availability: InStock

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IMBG120R034M2HXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IMBG120R034M2HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMBG120R034M2HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMBG120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMBG120R034M2HXTMA1
說明	SICFET N-CH 1200V 58A TO263
製造商的標準前置時間	69 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 1200 V 58 A (Tc) 278W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 34mOhm @ 20.4A、18V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 5.1V @ 6.4mA
系列 CoolSiC™ G2	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 45 nC @ 18 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) +23V、-7V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1510 pF @ 800 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 278W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 58 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TO263-7
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 15V、18V	封裝／外殼 TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA