Name: IMBG120R053M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R053M2HXTMA1TR-ND
Price: 324 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IMBG120R053M2HXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IMBG120R053M2HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMBG120R053M2HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMBG120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMBG120R053M2HXTMA1
說明	SICFET N-CH 1200V 41A TO263
製造商的標準前置時間	49 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 1200 V 41 A (Tc) 205W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-12
規格書	規格書

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5.1V @ 4.1mA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 30 nC @ 18 V
系列 CoolSiC™ G2	Vgs (最大值) +23V、-10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1010 pF @ 800 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 205W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 SiCFET (碳化矽)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	供應商元件封裝 PG-TO263-7-12
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 41 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 15V、18V	基礎產品編號 IMBG120R053
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 52.6ミリオーム @ 13.2A、18V