Name: IMBG65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 592 TWD
Availability: InStock

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IMBG65R020M2HXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMBG65R020M2HXTMA1
說明	SILICON CARBIDE MOSFET
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 91 A (Tc) 326W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-12
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5.6V @ 9.5mA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 57 nC @ 18 V
系列 CoolSiC™ Gen 2	Vgs (最大值) +23V、-7V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2038 pF @ 400 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 326W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 SiCFET (碳化矽)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	供應商元件封裝 PG-TO263-7-12
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 91 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 15V、20V	基礎產品編號 IMBG65R020
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 24ミリオーム @ 46.9A、18V