Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 247 TWD
Availability: InStock

IMBG65R107M1HXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IMBG65R107M1HXTMA1
說明	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 24 A (Tc) 110W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-12
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IMBG65R107M1HXTMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolSIC™ M1
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	不適用於新設計
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	24 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	141mOhm @ 8.9A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id	5.7V @ 2.6mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	15 nC @ 18 V
Vgs (最大值)	+23V、-5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	496 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	110W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-7-12
封裝／外殼	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
基礎產品編號	IMBG65R

數量	單價	總價
1,000	NT$94.36300	NT$94,363
2,000	NT$92.06650	NT$184,133

IMBG65R107M1HXTMA1