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IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | IMW65R007M2HXKSA1 |
說明 | SILICON CARBIDE MOSFET |
製造商的標準前置時間 | 61 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-U06 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R007M2HXKSA1 型號 |
產品屬性
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顯示空屬性
類別 | Rds On (最大值) @ Id、Vgs 6.1mOhm @ 146.3A、20V |
製造商 | Vgs(th) (最大值) @ Id 5.6V @ 29.7mA |
系列 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 179 nC @ 18 V |
包裝 管裝 | Vgs (最大值) +23V、-7V |
零件狀態 有源 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6359 pF @ 400 V |
FET 類型 | 功率耗散 (最大值) 625W (Tc) |
技術 | 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) |
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V | 安裝類型 通孔式 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 供應商元件封裝 PG-TO247-3-U06 |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 15V、20V | 封裝／外殼 |
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| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$1,101.00000 | NT$1,101 |
| 30 | NT$714.06667 | NT$21,422 |
| 120 | NT$640.08333 | NT$76,810 |
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