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IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | IMW65R057M1HXKSA1 |
說明 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-41 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R057M1HXKSA1 型號 |
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 5.7V @ 5mA |
製造商 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 28 nC @ 18 V |
系列 | Vgs (最大值) +20V、-2V |
包裝 管裝 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 930 pF @ 400 V |
零件狀態 不適用於新設計 | 功率耗散 (最大值) 133W (Tc) |
FET 類型 | 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) |
技術 | 安裝類型 通孔式 |
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V | 供應商元件封裝 PG-TO247-3-41 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 封裝／外殼 |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 18V | 基礎產品編號 |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 74mOhm @ 16.7A、18V |
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管裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$406.00000 | NT$406 |
| 30 | NT$238.30000 | NT$7,149 |
| 120 | NT$201.47500 | NT$24,177 |
| 510 | NT$174.50000 | NT$88,995 |
| 1,020 | NT$164.66176 | NT$167,955 |
| 2,010 | NT$156.55970 | NT$314,685 |
