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IMW65R083M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | IMW65R083M1HXKSA1 |
說明 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 24 A (Tc) 104W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-41 |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R083M1HXKSA1 型號 |
產品屬性
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顯示空屬性
類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 5.7V @ 3.3mA |
製造商 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 19 nC @ 18 V |
系列 | Vgs (最大值) +20V、-2V |
包裝 管裝 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 624 pF @ 400 V |
零件狀態 不適用於新設計 | 功率耗散 (最大值) 104W (Tc) |
FET 類型 | 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) |
技術 | 安裝類型 通孔式 |
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V | 供應商元件封裝 PG-TO247-3-41 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 封裝／外殼 |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 18V | 基礎產品編號 |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 111mOhm @ 11.2A、18V |
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管裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$323.00000 | NT$323 |
| 30 | NT$186.16667 | NT$5,585 |
| 120 | NT$156.02500 | NT$18,723 |
| 510 | NT$133.94118 | NT$68,310 |
| 1,020 | NT$125.88431 | NT$128,402 |
| 2,010 | NT$119.24876 | NT$239,690 |
