Name: IPB025N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N08N3GATMA1TR-ND
Price: 207 TWD
Availability: InStock

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IPB025N08N3GATMA1
DigiKey 零件編號	IPB025N08N3GATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB025N08N3GATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB025N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB025N08N3GATMA1
說明	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 80 V 120 A (Tc) 300W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB025N08N3GATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 270µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 206 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 14200 pF @ 40 V
零件狀態限期訂購	功率耗散 (最大值) 300W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 80 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 120 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V	基礎產品編號 IPB025
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.5mOhm @ 100A、10V

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替代品 (4)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
IPB024N08NF2SATMA1	Infineon Technologies	790	448-IPB024N08NF2SATMA1CT-ND	NT$155.00000	建議的 MFR
PSMN2R8-80BS,118	Nexperia USA Inc.	7,151	1727-7107-1-ND	NT$181.00000	相似
STH270N8F7-2	STMicroelectronics	292	497-13873-1-ND	NT$205.00000	相似
STH310N10F7-2	STMicroelectronics	5,450	497-13585-1-ND	NT$237.00000	相似