Name: IPB026N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB026N06NATMA1TR-ND
Price: 121 TWD
Availability: InStock

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IPB026N06NATMA1
DigiKey 零件編號	IPB026N06NATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB026N06NATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB026N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB026N06NATMA1
說明	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
製造商的標準前置時間	19 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 25 A (Ta)、100 A (Tc) 3W (Ta)、136W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB026N06NATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.8V @ 75µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 56 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4100 pF @ 30 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 3W (Ta)、136W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 25 A (Ta)、100 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V	基礎產品編號 IPB026
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.6mOhm @ 100A、10V

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其他資源

替代品 (5)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
2SK3812-ZP-E1-AZ	Renesas Electronics Corporation	1,305	559-2SK3812-ZP-E1-AZCT-ND	NT$265.00000	相似
BUK762R6-60E,118	Nexperia USA Inc.	1,815	1727-BUK762R6-60E,118CT-ND	NT$171.00000	相似
BUK962R8-60E,118	Nexperia USA Inc.	38	1727-1096-1-ND	NT$171.00000	相似
SQM50020EL_GE3	Vishay Siliconix	168	SQM50020EL_GE3CT-ND	NT$177.00000	相似
STH260N6F6-2	STMicroelectronics	968	497-STH260N6F6-2CT-ND	NT$198.00000	相似