Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 77 TWD
Availability: InStock

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IPB081N06L3GATMA1
DigiKey 零件編號	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB081N06L3GATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB081N06L3GATMA1
說明	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
製造商的標準前置時間	17 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 50 A (Tc) 79W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB081N06L3GATMA1 型號

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.2V @ 34µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
系列 OptiMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4900 pF @ 30 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 79W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 50 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 IPB081
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 8.1mOhm @ 50A、10V

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