Name: IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 130 TWD
Availability: InStock

新產品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IPB175N20NM6ATMA1
DigiKey 零件編號	448-IPB175N20NM6ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IPB175N20NM6ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IPB175N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB175N20NM6ATMA1
說明	IPB175N20NM6ATMA1
製造商的標準前置時間	26 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 200 V 9.7A (Ta)、61A (Tc) 3.8W (Ta)、203W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3-U01
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 6
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	200 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	9.7A (Ta)、61A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V、15V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	15.5mOhm @ 38A、15V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4.5V @ 105µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	3100 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3.8W (Ta)、203W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-3-U01
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB