Name: IPB180P04P4L02ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND
Price: 129 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IPB180P04P4L02ATMA2
DigiKey 零件編號	448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IPB180P04P4L02ATMA2CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB180P04P4L02ATMA2
說明	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
製造商的標準前置時間	9 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 40 V 180 A (Tc) 150W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB180P04P4L02ATMA2 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ P2
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	40 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	180 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	2.4mOhm @ 100A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.2V @ 410µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	286 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	+5V、-16V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	18700 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	150W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-7-3
封裝／外殼	TO-263-7、D2PAK (6 引線 + 接片)
基礎產品編號	IPB180