Name: IPB50R199CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50R199CPATMA1TR-ND
Price: 55.162 TWD
Availability: OutOfStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 660µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 45 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1800 pF @ 100 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 139W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 550 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3-2
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 17 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 IPB50R199
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 199mOhm @ 9.9A、10V

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