Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 168 TWD
Availability: InStock

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IPB65R190CFDAATMA1
DigiKey 零件編號	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB65R190CFDAATMA1
說明	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
製造商的標準前置時間	17 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 17.5 A (Tc) 151W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB65R190CFDAATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 68 nC @ 10 V
製造商 Infineon Technologies	Vgs (最大值) ±20V
系列 CoolMOS™	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1850 pF @ 100 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 151W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 17.5 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TO263-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 190mOhm @ 7.3A、10V	基礎產品編號 IPB65R190
Vgs(th) (最大值) @ Id 4.5V @ 700µA