Name: IPB65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 99 TWD
Availability: InStock

IPB65R660CFDAATMA1
DigiKey 零件編號	448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IPB65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB65R660CFDAATMA1
說明	MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
製造商的標準前置時間	17 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 6 A (Tc) 62.5W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB65R660CFDAATMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	6 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	660mOhm @ 3.2A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4.5V @ 200µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	543 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	62.5W (Tc)
工作溫度	-40°C ~ 150°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-3
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	IPB65R660

IPB65R660CFDAATMA1