Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 124 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IPB80N06S209ATMA2
DigiKey 零件編號	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB80N06S209ATMA2CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB80N06S209ATMA2
說明	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 55 V 80 A (Tc) 190W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3-2
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB80N06S209ATMA2 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 80 nC @ 10 V
製造商 Infineon Technologies	Vgs (最大值) ±20V
系列 OptiMOS™	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2360 pF @ 25 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 190W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 55 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 80 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TO263-3-2
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 8.8mOhm @ 50A、10V	基礎產品編號 IPB80N
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 125µA