Name: IPB80N08S207ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N08S207ATMA1TR-ND
Price: 221 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IPB80N08S207ATMA1
DigiKey 零件編號	448-IPB80N08S207ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IPB80N08S207ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IPB80N08S207ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB80N08S207ATMA1
說明	MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 75 V 80 A (Tc) 300W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3-2
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB80N08S207ATMA1 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 180 nC @ 10 V
製造商 Infineon Technologies	Vgs (最大值) ±20V
系列 OptiMOS™	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4700 pF @ 25 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 300W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 75 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 80 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TO263-3-2
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 7.1mOhm @ 80A、10V	基礎產品編號 IPB80N
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (6)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
IRF1407STRLPBF	Infineon Technologies	3,208	IRF1407STRLPBFCT-ND	NT$107.00000	相似
IRFS3307ZTRRPBF	Infineon Technologies	568	448-IRFS3307ZTRRPBFCT-ND	NT$136.00000	相似
STB75NF75T4	STMicroelectronics	570	497-15666-1-ND	NT$145.00000	直接
FDB045AN08A0	onsemi	294	FDB045AN08A0CT-ND	NT$182.00000	相似
PSMN6R5-80BS,118	Nexperia USA Inc.	2,362	1727-7213-1-ND	NT$120.00000	相似