Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 91 TWD
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKey 零件編號	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPD60N10S4L12ATMA1
說明	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) 表面黏著式 PG-TO252-3-313
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPD60N10S4L12ATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 49 nC @ 10 V
製造商 Infineon Technologies	Vgs (最大值) ±16V
系列 HEXFET®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3170 pF @ 25 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 94W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 60 A (Tc)	供應商元件封裝 PG-TO252-3-313
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 12mOhm @ 60A、10V	基礎產品編號 IPD60N10
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.1V @ 46µA