Name: IPD60R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K4C6ATMA1TR-ND
Price: 49 TWD
Availability: InStock

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IPD60R1K4C6ATMA1
DigiKey 零件編號	IPD60R1K4C6ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPD60R1K4C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPD60R1K4C6ATMA1
說明	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 600 V 3.2 A (Tc) 28.4W (Tc) 表面黏著式 PG-TO252-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPD60R1K4C6ATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 90µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ C6	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 200 pF @ 100 V
零件狀態不適用於新設計	功率耗散 (最大值) 28.4W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 600 V	供應商元件封裝 PG-TO252-3
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 3.2 A (Tc)	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 IPD60R
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.4Ohm @ 1.1A、10V

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替代品 (2)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
STD5N80K5	STMicroelectronics	1,466	497-16929-1-ND	NT$88.00000	相似
STD6N62K3	STMicroelectronics	116	497-STD6N62K3CT-ND	NT$105.00000	相似

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