Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R2K8CEATMA1TR-ND
Price: 59 TWD
Availability: InStock

IPD80R2K8CEATMA1
DigiKey 零件編號	IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPD80R2K8CEATMA1
說明	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 800 V 1.9 A (Tc) 42W (Tc) 表面黏著式 PG-TO252-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPD80R2K8CEATMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™ CE
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	不適用於新設計
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	800 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	1.9 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	2.8Ohm @ 1.1A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.9V @ 120µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	290 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	42W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO252-3
封裝／外殼	TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
基礎產品編號	IPD80R2

IPD80R2K8CEATMA1