IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies | FET、MOSFET 陣列

IPG20N04S409ATMA1
DigiKey 零件編號	448-IPG20N04S409ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPG20N04S409ATMA1
說明	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 40V 20 A (Tc) 54W (Tc) 表面黏著式 PG-TDSON-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPG20N04S409ATMA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 N-通道 (雙)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	40V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	20 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	8.6mOhm @ 17A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 22µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	28nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2250pF @ 25V
功率 - 最大值	54W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-PowerTDFN
供應商元件封裝	PG-TDSON-8
基礎產品編號	IPG20N

IPG20N04S409ATMA1