Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND
Price: 76 TWD
Availability: InStock

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IPG20N10S4L35ATMA1
DigiKey 零件編號	IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPG20N10S4L35ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPG20N10S4L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPG20N10S4L35ATMA1
說明	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
製造商的標準前置時間	35 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 100V 20A 43W 表面黏著式 PG-TDSON-8-4
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPG20N10S4L35ATMA1 型號

產品屬性

篩選類似產品

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.1V @ 16µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 17.4nC @ 10V
系列 OptiMOS™	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1105pF @ 25V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率 - 最大值 43W
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	等級汽車
配置 2 N-通道 (雙)	資格 AEC-Q101
FET 特點邏輯電平閘極	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V	封裝／外殼 8-PowerVDFN
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 20A	供應商元件封裝 PG-TDSON-8-4
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 35mOhm @ 17A、10V	基礎產品編號 IPG20N